Hersteller Produktnummer:
TSM180N03PQ33 RGG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM180N03PQ33 RGG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.08)
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
12894329
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EINREICHEN
TSM180N03PQ33 RGG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
345 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
21W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (3.1x3.08)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TSM180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TSM180N03PQ33 RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT
TSM180N03PQ33RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT-DG
TSM180N03PQ33 RGGTR-DG
TSM180N03PQ33RGGCT
TSM180N03PQ33 RGGTR
TSM180N03PQ33RGGTR
TSM180N03PQ33 RGGDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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